刻蝕是用化學(xué)或物理的方法有選擇地從硅片上去除不需要材料的過程。刻蝕是在硅片上進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移的后主要工藝步驟。半導(dǎo)體刻蝕工藝有兩種基本方法：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的主要方法，濕法腐蝕使用液體腐蝕的加工方法，主要用于特征尺寸較大的情況。

按照被刻蝕材料來分，干法刻蝕主要分成：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作不同圖形，例如柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕用于剝離掩蔽層。有圖形或無圖形刻蝕都可以分別采用干法刻蝕或濕法腐蝕。

刻蝕的主要工藝參數(shù)有：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷。